剑桥大学最近推出了一种新的晶体管设计，该设计允许可穿戴设备和其他设备将周围晶体管的电能用作能源，并且可以在1伏特下工作，消耗的功率不到10亿瓦特。据The Register称，自1965年以来，晶体管按照摩尔定律发展顺利，其密度越来越密，CPU性能得到了改善，但是电池并没有跟上晶体管稳定发展的步伐。在这方面，美国劳伦斯伯克利国家实验室的物理学家弗雷德·施拉赫特（Fred Schlachter）在2013年指出，电池不如遵循摩尔定律的半导体行业那么好。因此研究人员不得不尝试增加电池电量，但这并不是万无一失的方法。例如，由于Note 7电池爆炸，三星电子不得不召回并停止使用手机。然而，剑桥大学的Sungsik Lee教授和Arokia Nathan教授在《科学》杂志上宣布了一种使用非常小的能量的晶体管的设计。制成的晶体管可以保留肖特基势垒并使晶体管更紧密。包装后可以保持独立性。研究人员指出，由于铟镓锌氧化物（IGZO）薄膜晶体管可节省大量电能，因此有望用于各种设备，例如可穿戴或可植入的电子产品，可从周围环境中收集所需的电能。 。该晶体管可以在不到1伏的电压下工作，消耗的能量不到十亿分之一瓦，因此能量效率非常出色。设计原理是使用与晶体管有关的接近截止状态的电流，上述微型电子元件可以在低温下制造，并且可以印刷在玻璃，塑料，聚酯纤维和纸上。等等各种材料。在这方面，Nathan认为研究人员已经成功地挑战了传统的晶体管认知，并从该过程中发现，过去曾被工程师所避免的肖特基势垒本身的特性可以用于可穿戴或观察中。超低功耗应用，例如健康的可植入设备。