半导体存储芯片中的只读存储器（ReadOnlyMemory，ROM）是存储固定信息的存储器。它只能在正常工作条件下读取数据，而不能立即修改或重写数据。这种存储电路结构简单，断电后不会丢失存储的数据。它特别适用于存储永久且不变的程序代码或数据。例如，计算机中的自检程序在ROM中固化。 ROM的最大优点是它不易失。 ROM有两种类型：不可重写的只读存储器（MROM，PROM）和可重写的只读存储器（EPROM，EEPROM，闪存等）。不可重写只读存储器也可以分为两类，包括掩码只读存储器（MROM）和可编程只读存储器（PROM）。 1.掩码只读存储器（MROM）掩码只读存储器，也称为固定ROM。当制造这种ROM时，制造商使用掩膜（Mask）技术将信息写入存储器，用户在使用过程中不能更改信息，并且适合批量生产。 MROM可以分为三种类型：二极管ROM，双极晶体管ROM和MOS管ROM。 2.可编程只读存储器（PROM）可编程ROM（PROM）是一种只读存储器，用户可以一次写入。它是在MROM的基础上开发的。 PROM的缺点是用户只能写入一次数据，并且在写入后不能再对其进行修改。可重写只读存储器这种类型的ROM由用户用数据（程序）编写，并且可以在以后进行操作和修改，这更自由，使用方便。可擦写ROM可分为三种类型：紫外线可擦除EPROM，电可擦除EEPROM和闪存FlashROM。 1.光学可擦可编程只读存储器（EPROM）光学可擦可编程只读存储器（EPROM）的功能是可以以特殊方式擦除和重写内容。当EPROM出厂时，其存储内容全部为“ 1”。用户可以将部分内容重写为“ 0”。如所须。当需要修改存储内容时，可以删除原始存储内容（还原为所有“ 1”），以便于写入。输入新内容。 EPROM通常用紫外线照射芯片约15-20分钟以擦除内容，然后用专用的EPROM写入器重写信息。一旦写入，它是相对固定的。在广泛使用闪存之前，EPROM通常用于软件开发过程中。 2.电可擦可编程只读存储器（EEPROM或E2PROM）EEPROM使用电方法擦除芯片中存储的内容，擦除速度更快，即使在在线状态下也可以操作。相对而言，EPROM用紫外线擦除内容的操作更为复杂且缓慢。 EEPROM可以同时使用字擦除和块擦除方法。可以使用字擦除来擦除一个存储单元，并且可以使用块擦除来擦除数据块中的所有存储单元。 3.闪存（FlashROM）闪存（FlashROM）是1980年代中期出现的块可擦除存储器。它是一种高密度，非易失性读/写半导体存储器。 FlashROM的突破传统存储系统改善了存储产品的特性。 FlashROM中的内容不需要电源支持就可以像RAM一样保存，但是它可以像RAM一样可重写。在一定的低电压下，FlashROM的内部信息可读写，与ROM相似，而在较高的电压下，其内部信息可被更改和删除，类似于RAM。 FlashROM可以使用软件在PC中重写或在线写入信息，一旦写入，它就相对固定。因此，它可用于在PC中存储主板的BIOS程序。由于支持重写，因此用户可以方便地自行升级BIOS，但这也为病毒创造了良好的环境。著名的CIH病毒使用此功能破坏BIOS，从而导致整个系统瘫痪。此外，由于单个芯片的大存储容量和易于修改的特性，FlashROM也经常用于数码相机和USB闪存驱动器中。由于其功耗低，密度高且没有机电式移动设备，因此特别适合于便携式设备。