内存分为两类：RAM和ROM，将不讨论RAM，主要讨论ROM。首先不能对ROM进行编程，并且内容始终是出厂时遗留的内容，这是不灵活的。后来，PROM出现了，您可以自己编写一次，如果您犯了一个错误，则只能更改一个，并且您认为自己很不幸。人类文明继续发展，最后有一个可以多次擦除和写入的EPROM。每次擦除芯片时，都需要将芯片置于紫外线下。将程序下载到微控制器后，发现需要添加一个位置，请考虑一下。因此，您必须将微控制器放在紫外线灯下半小时，然后才能再次进行操作。您一天之内不能多次更改。历史的车轮不断前进，强大的EEPROM出现了，节省了大量程序员，最后可以随意修改ROM的内容。 EEPROM的全名是“电可擦可编程只读存储器”，即，电可擦可编程只读存储器。它相对于UV可擦除ROM。但是今天，EEPROM有许多变体，它们已成为一种存储器的通用术语。窄EEPROM：此ROM的功能在于它可以随机访问和修改任何字节，并且可以向每个位写入0或1。这是最传统的EEPROM类型。断电后数据不会丢失，可以存储100年，可以擦除和写入100w次。它具有高可靠性，但是电路复杂并且成本也高。因此，当前的EEPROM为几十千到几百千字节，很少超过512K。例如，我们常见的24C02：通用EEPROM：FLASH属于通用EEPROM，因为它也是可电擦除的ROM。但是为了将其与以字节为单位擦除和写入的普通EEPROM区别开来，我们将其称为闪存。闪存的改进之处在于，擦除不再以字节为单位，而是以块为单位，这一次可以简化电路，增加数据密度，并降低成本。 M上的rom通常是flash。如W25Q128JVSIQ。 Flash分为norflash和nandflash。 norflash：norflash数据线与地址线分开，可以实现ram等随机寻址功能，并且可以读取任何字节。但是擦除仍然需要逐块擦除。仍然W25Q128JVSIQnandflash：nandflash也被块擦除，但是数据线和地址线是多路复用的，并且地址线不能用于随机寻址。阅读只能按页面阅读。 （Nandflash被逐块擦除，按页读取，norflash没有页面），例如：W29N01HVSINA在nandflash引脚上多路复用，因此读取速度比norflash慢一点，但是擦除和写入速度比norflash快得多。 nandflash的内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本低。因此，大容量闪光灯都是nand类型的。大多数小容量2-12M闪存都是nor型的。在使用寿命方面，nandflash的擦除次数是nor的擦除次数的几倍。而且，nandflash可以标记坏块，因此软件可以跳过这些坏块。一旦norflash损坏，将无法再次使用。由于norflash可以执行字节寻址，因此该程序可以在norflash中运行。嵌入式系统通常使用小容量的norflash来存储引导代码，并使用大容量的nandflash来存储文件系统和内核。