根据数据访问方式的不同，ram中的存储单元分为两种：静态存储单元-静态RAM（SRAM）；静态存储单元-静态RAM。动态存储单元-动态RAM（DRAM）。 1.静态存储单元（SRAM）：它通过电源维护信息，例如触发器，寄存器等。静态存储单元（SRAM）的典型结构：T5，T6，T7和T8均为门控管。只要门为高，这些管就可以在可变电阻区域中作为开关工作。其中，存储单元通过T5，T6连接到数据线（位线）；数据线先通过T7，T8连接，再通过输入/输出缓冲电路和输入/输出线连接，实现信息的传输和交换。在第一次写入信息之前，在存储单元中的信息写入操作是随机信息。假设您要写入信息“ 1”：1）添加地址代码。地址有效后，对应的行选择线X和列选择线I均为高电平，T5，T6，T7和T8导通。 2）芯片选择信号有效（低电平）； 3）写入信号有效。此时，三态门G2和G3处于工作状态，G1输出高阻抗状态，并且信息“ 1”被输入。通过G2，T7和T5到达Q端子；后阶段信息“ O”被输入到网络中。通过T8和T6到达。 T4导通，T3截止。明显地，信息“ 1”被提供给用户。已被写入存储单元。假设您要读取信息“ 1”：1）用于访问地址单元的地址代码有效； 2）片选有效= O； 3）读操作有效R / = 1；此时：三态门G1的工作状态，G2的G3高阻状态，信息“ 1”，“ G”，“ G”，“ G”，“ G”，“ G”，“ G”，“ G”等。通过T5，T7和G1三态门读取存储单元中的“ N”。除了上述的NMOS结构的静态SRAM，还有以下类型的SRAM。具有CMOS结构的SRAM：更低的功耗和更大的存储容量。双极结构SRAM：更高的功耗，更快的访问速度。 2.动态存储单元（DRAM）静态存储单元具有静态功耗，并且集成度不高，因此存储容量不大。动态存储单元在栅极和源极之间使用MOS电容器来存储信息。它的静态功耗非常小，因此可以使存储容量更大。静态RAM具有高功耗和低密度，而动态RAM具有低功耗和高密度。动态RAM需要定期刷新，使用起来比较复杂。动态存储单元（DRAM）的典型结构：栅极控制管T3，T4，T5，T6，T7，T8，C1，C2是MOS电容器。 DRAM读/写操作过程：1）访问存储单元的地址有效； 2）芯片选择信号可用（未显示）； 3）发出用于读出信息或写入新信息的控制信号。在读出操作中，使原始信息Q = 1，对C2进行充电，地址有效后，行和列选择线为高；加上片选信号后，发送读出信号R = 1，W = O； T4，T6和T8导电，并通过T4，T6和T8读取。在写操作期间，假定原始信息是“ 0”。以及信息“ 1”是要写的。存储单元的地址有效后，X和Y为高；在片选信号到达之后，加写命令W ＝ 1，R ＝ 0，即“ 1”。信息通过T7，T5和T3记入C2。在充电到一定电压之后，T2导通，C1放电，并且T1结束，因此Q变为高电平，并且“ 1”变为高电平。信息被写入存储单元。如果书面信息为“ o”，则原始电容器上的电荷保持不变。动态RAM刷新：因为DRAM依靠MOS电容器来存储信息。当长时间不处理信息时，由于泄漏等原因，电容器Charge上的电荷将逐渐丢失，从而导致存储数据的丢失。在动态RAM中，及时补充费用是一个非常重要的问题。充电过程称为“刷新”-刷新，也称为“再生”。补充充电过程：加预充电脉冲∅，预充电管T9，T10导通，CO1，CO2迅速充电至VDD，∅取消后，CO1，CO2上的电荷保持不变。但是，读操作：地址有效，OK，列选择线X，Y为高电平； R ＝ 1，W ＝ 0用于读出操作，如果原始信息是Q ＝“ 1”，则意味着MOS电容器C2具有电荷，而C1不具有电荷（即，T2导通，并且T1关断）。 ）;这时，CO1上的电荷将补充C2，并且CO2上的电荷将通过T2 con放电。