最近，FeFET的创始人FMC从默克，SKHynix，IMEC，罗伯特·博世，东京电子和现有投资者eCapital等公司获得了超过2000万美元的资金。在这里，我们采访了该公司首席执行官Ali Pourkeramati，希望听听他对新型存储FeFET未来发展的看法。 Pourkeramati首先赞扬了氧化ha作为铁电材料的特性，该氧化物也恰好被广泛用作代工厂中现代IC的绝缘层。他声称铁电场效应晶体管（FeFET）是嵌入式闪存的自然替代品，因为后者难以扩展到28nm以上。 Pourkeramati指出，与嵌入式闪存不同，FeFET的耐久性在10 ^ 11周期时非常高，并且在10 ^ 15周期时有望接近MRAM，并且开关速度小于1ns，并且开关能量小于1fJ / bit。他指出，FeFET的基本开关速度很高，但是在阵列中，它确实取决于字线和位线的负载。我们有一个约10ns的32Mbit内存宏。如果您想更快地阅读，您会变得越来越小，分布越来越多，因此具有设计意义。普卡拉马蒂说。逻辑友好存储“这是一种逻辑友好技术，需要两个或三个A非关键层。对于逻辑和代工厂来说，这就是天堂。 ＆quot; Pourkeramati添加了。除了高温稳定性，材料可扩展性和熟悉度之外，FeFET似乎很容易赢得竞争。但是，FMC需要改善索引。在他的FE-HfO2测量和特性曲线图上的发布中，数据保留时间为125°C时1000小时。但是他们希望它可以在175°C下保持10年，但是显然还有很多工作要做。另一个反对意见是领先的代工厂采用了MRAM（对于意法半导体来说是相变存储器）用于28nm及以下的嵌入式存储器，因此与嵌入式闪存的竞争并不激烈。 MRAM需要其他材料。铁电存储器不需要特殊的材料，并且可以在逻辑上进行缩放，因此我们可以使用FinFET。普卡拉马蒂说。 MRAM也容易受到磁场的影响。 Pourkeramati强调说，铁电存储器可以解决用于缓存的嵌入式难题丢失的存储器也可以用于解决用于存储级存储器的独立芯片。 FMC还对3D堆栈存储器进行了一些初步工作。 “我们可以扩展到n层”普卡拉马蒂说。它可以用于神经形态应用。 “我们为所有应用程序创建了IP [知识产权]。 “商业模式讨论FMC的商业模式是许可知识产权并根据芯片收取专利使用费。因此，该公司将其产品分为三个级别。一种是与过程相关的IP，例如化学配方；另一种是与工艺相关的IP。第二个是晶体管设备级IP。 IP的第三层基于设计或电路。他说：“我们将这些各种IP池许可给代工厂，无晶圆厂芯片公司和IDM（集成设备制造商）。 Pourkeramati表示，首批用于消费类应用的硅晶圆将于2023年问世，并将采用28nm平面CMOS工艺。之后，它将转向22nmFinFET和/或FDSOI，并且在接下来的几年中将出现其他领域。考虑到FMC成立于2016年，现在是2020年，FMC的路线图似乎有些保守。普卡拉马蒂说：“这些事情需要时间。开发时间和上市时间。我们认为这是合理和可以接受的。如果您想在FinFET上进行开发，请与我们合作，尽快通过每个节点。”专利情况值得注意。是的，铁电存储器已成为学术界的热门话题，许多大型半导体公司都在讨论这项技术。如果FMC使用氧化ha和掺杂锆的氧化ha开创了存储领域的先河，是否有可能使其他人受益？ Pourkeramati拒绝透露FMC的专利权涵盖covers和锆。这使我们重新考虑了为什么Pourkeramati会拒绝或推迟一些投资。创业界有一个众所周知的座右铭，那就是在不需要风险投资时最好接受它。因为当您真正需要它时，它将不可用。在2019年加入FMC之前，Pourkeramati曾在ImpactCapitalPartners Inc.担任管理合伙人，曾在风险投资领域工作，并提出了相反的观点。他认为，FMC将来将能够以更高的估值筹集更多资金。还有其他公司想要投资FMC。同样，也有铸造厂想投资FMC，但Pourkeramati说，他担心与任何铸造厂保持紧密联系可能会阻止其他铸造厂使用该技术，因此该公司拒绝了。由于FMC渴望进入多个领域