据韩国魅族新闻社11月20日报道，三星确认将在得克萨斯州奥斯汀市建立一座采用超紫外线（EUV）技术的新半导体工厂，总投资额约为100亿美元！据报道，据三星和相关行业消息人士称，三星电子将在德克萨斯州奥斯汀建立一个晶圆厂，并使用EUV光刻机生产非内存半导体和系统LSI产品。投资规模估计为每月100亿美元。生产能力约为70000件。为了急于在2030年成为非内存半导体领域的领导者，韩国已花费大量资金从ASML购买EUV机器。三星集团副总裁李在用（Lee Jae-yong）几天前也去了荷兰ASML总部，希望能迅速从该公司购买产品，以期在先进的制造工艺中击败台积电。韩国媒体报道说，三星还袭击了定制的片上系统（SoC）团队，并允许其系统LSI部门建立“ CustomSoC”系统。量身定制的单芯片团队，与全球主要的ICT制造商建立紧密的合作关系。据报道，三星已经启动了“半导体2030计划”。并希望投资133万亿韩元（约合1,160亿美元），到2030年成为全球最大的半导体公司。其中，先进逻辑技术是重点之一，目标是赶上台积电。 。在最近几代工艺中，三星的批量生产进度落后于台积电，包括10nm，7nm和5nm。但是，人们认为5nm缩小了差距，今年也已经从高通，NVIDIA和IBM等客户那里获得了量产。 8nm，7nm订单。但是，三星要赶上台积电的关键是下一代3nm，因为在这一代技术中，三星已经押注GAA环绕栅晶体管。它是世界上第一家采用GAA工艺替代FinFET工艺的公司。台积电较为保守。 3nm仍使用FinFET，GAA工艺将仅用于2nm。