不要停止掌声，昭仪创新再次赢得奖项！今天，在领先的ASPENCORE“全球双顶峰会和全球电子成就奖颁奖典礼”上，昭仪创新的国内生产的24nmSPINANDFlashGD5F4GM5赢得了“年度最佳存储器/放大器/数据转换器”奖。产品奖；基于新型ArmCortex-M33的内核GD32E5系列高性能微控制器获得了“年度最佳微控制器/接口”奖。产品奖。 “全球电子成就奖”由电子技术领域最大的媒体集团ASPENCORE主办，旨在专注于领先的技术并促进全球电子行业的技术创新。整个甄选过程持续了几个月，而且必须经过一系列选择，例如声明，提名，在线投票和全球专家评审。获得全球电子成就奖是一项公认的荣誉，充分体现了该技术或产品在行业中的领先地位和非凡的性能。作为领先的无晶圆厂芯片供应商，昭仪创新已连续多年进入榜单，其自主创新能力和产品技术实力屡获赞誉。 GD5F4GM5系列获得了“年度最佳存储器/放大器/数据转换器”奖。奖。 GD5F4GM5系列获得了“年度最佳存储器/放大器/数据转换器”奖。这次获奖的产品是昭仪创新推出的一款国内生产的24nmSPINANDFlash产品，其容量高达4Gb。从设计，研发，制造到封装和测试的所有环节的纯本地化和自主性已成功批量生产，标志着国产SLCNANDFlash产品已正式进入24nm先进工艺技术时代。该产品使用的串行SPI接口具有更少的引脚和更小的封装。在集成存储阵列和控制器时，它还具有内部ECC错误校正算法。擦除和写入次数可达到50,000次，从而提高了可靠性，同时延长了产品寿命。与上一代NAND产品相比，该系列大大提高了读写速度，最高时钟频率达到120MHz，数据吞吐率可以达到480Mbit / s，支持1.8V / 3.3V电源电压，并提供多种封装例如WSON8和TFBGA24。选择为5G，物联网，网通，安全性和消费者应用方案（包括可穿戴设备）提供大容量且经济高效的解决方案。 GD32E5系列MCU赢得了“年度最佳微控制器/接口”奖。产品奖GD32E5系列MCU具有行业领先的处理能力，功耗效率，连接特性和更经济的开发成本，并进一步促进了嵌入式开发向高精度工业控制领域的扩展。解决多种功能集成和工作负载需求，例如数字电源，电动机频率转换，测量仪器，混合信号处理和高端消费类应用。过去的成就只是一个序幕，稳固而深远，并且可以预见未来。今年是昭仪创新15周年。自成立以来，昭仪创新不断加大对研发的投入，并以其积极的技术战略，突出的产品实力和丰富的行业应用赢得了业界的广泛认可。下一步，昭仪创新将继续加大创建“内核”的力度，并致力于以内存，微控制器和传感器这三个主要业务领域为核心驱动力，构建一个完整的生态系统。网络，移动应用程序和通信领域的客户提供完整的产品技术和服务。