在3D闪存技术方面，三星是全球最大的闪存制造商，一直是领导者，拥有最多的堆栈。但是，美光科技已率先发布了176层3D闪存，该闪存的速度比三星快。根据美光公司的说法，176层闪存实际上基于两个88层的叠加。第一批是TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb（64GB）。当然，稍后可能会添加QLC。更重要的是，美光不仅宣布了新技术，而且已经批量生产并交付了176层闪存。它已在Crucial品牌的某些消费级SSD中使用。明年将发布更多新产品。就176层闪存技术而言，美光的业务确实是有可能的，后来者已经登上了榜首。它们在全球闪存市场份额方面落后于三星，东芝和西部数据，尤其是三星一直处于领先地位。关于这次未能推出新一代闪存的问题，韩国媒体爆料说三星遇到了技术问题。最初，他们计划一次堆叠190层以上，但是现在他们将目标减少到176层。此外，美光和SK海力士正准备将双堆栈技术用于176层闪存。三星最初希望使用单堆栈技术来实现200层闪存，但发现它在技术上不可行，从而导致进度变慢。根据该报告，尽管三星高管拒绝承认这项技术已被推迟，但他们不得不承认这一进展确实落后了一些。高级官员说，技术变革使他们花费更多的时间并投资于修改制造过程。他们预计明年将只使用（176层）闪存。三星赶超的时间可能在明年第一季度之后，预计它将在2021年4月推出176层或更低的160层闪存。