北京时间11月13日，新闻，内存和存储解决方案提供商美光科技（Micron Technology）宣布已批量交付全球首个176层3D NAND闪存，一举打破了行业纪录，实现闪存产品的密度和性能的显着改善。美光公司新的176层工艺和先进的体系结构共同为这一突破做出了贡献，使数据中心，智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用受益，并实现了显着的性能提升。美光科技与产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光的176层NAND在闪存行业树立了新的标杆。与最接近的竞争对手相比，堆叠层数增加了近40％。与美光的CMOS阵列（CMOS-under-array）结构结合使用。这项技术有助于美光继续保持其在成本方面的行业领先优势。”这种176层NAND产品使用美光的第五代3DNAND技术和第二代替换门架构，这是市场上最昂贵的。先进的NAND技术节点。与美光的上一代大容量3DNAND产品相比，176层NAND将数据读写延迟缩短了35％以上，从而大大提高了应用程序性能。美光公司的176层NAND采用紧凑型设计，其管芯尺寸比市场上最接近的同类产品小近30％。这是满足小型应用程序需求的理想解决方案。美光针对多样化市场的创新技术服务的执行副总裁兼首席运营官Sumit Sadana说：“采用美光的176层NAND后，我们的客户将实现突破性的产品创新。我们将在广泛的产品组合中部署该技术。在NAND应用的各个领域中实现价值，重点在于把握5G，人工智能，云和智能边缘领域的增长机会。”美光公司的176层NAND具有全面的设计和业界领先的密度。它被广泛使用，并且将在多个行业中必不可少。短缺包括移动设备存储，自动驾驶系统，车载信息娱乐系统以及客户端（PC）和数据中心中的固态驱动器（SSD）。美光公司176层NAND的服务质量（QoS进一步提高，这对于数据中心SSD的设计标准至关重要-它可以更快地响应数据密集型环境和工作负载，例如数据湖，人工智能（AI）引擎和大数据分析对于5G智能手机，改进的QoS意味着多个应用程序可以更快地启动和切换，带来流畅，响应迅速的移动体验，并在开放NAND上真正实现5G低延迟网络的多任务处理和充分利用美光的第五代3DNAND闪存接口（ONFI）总线还实现了1600MT / sec的最大数据传输速率，比以前提高了33％；更快的ONFI速度意味着更快的系统启动和更快的应用程序。在应用中，这种速度将使机载系统在发动机启动后几乎立即做出响应，从而为用户带来更好的体验。开发商迅速将新产品应用于解决方案中。为了简化固件开发，美光公司的176层NAND提供了单遍写入算法，这使得集成更加方便，从而加快了上市时间。随着摩尔定律逐渐接近极限，新的体系结构实现了密度和成本优势。美光在3DNAND领域的创新对于确保行业满足数据增长需求至关重要。为了实现这一目标，美光将堆叠式替代栅极架构，创新的电荷捕获技术以及CMOS阵列（CuA）技术相结合。微米级3DNAND专家团队使用专有的CuA技术取得了长足的进步，该技术在芯片的逻辑器件上构建了多层堆栈，将更多的内存集成到更紧凑的空间中，并极大地减少了176层NAND芯片的尺寸增加了单个晶圆的存储容量。同时，美光还将NAND单元技术从传统的浮栅过渡到电荷捕获，从而改善了未来NAND的可扩展性和性能。除电荷捕获技术外，美光还通过采用替代栅极结构，使用高导电性金属字线替代硅层，以实现领先的3DNAND性能。采用这项技术后，美光科技将大大降低成本，并继续引领行业。通过采用这些先进技术，美光提高了产品的耐用性，