编者注：全球电子供应链中的波动非常微妙。据国外媒体最新消息，台积电可能已经被批准继续向华为供货，但严格控制了供货条件。台积电（TSMC）已获得许可，可用于诸如28nm之类的成熟工艺，但不包括诸如16nm，10nm，7nm和5nm之类的先进工艺技术。 11月6日，英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布，它将增加在华投资并扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩建后，它将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。据国外媒体报道，台积电可能已于11月7日获准继续向华为供货。但是，在某些情况下，商品的供应受到严格限制，并且还没有全部恢复。该报告提到，台积电已获得28nm等成熟工艺的许可，但不包括16nm，10nm，7nm和5nm等先进工艺技术。这意味着台积电仍无法为华为生产最新的麒麟9000处理器。一种处理器使用了台积电当前最先进的5纳米工艺。此外，台积电不允许生产7nm工艺芯片，例如Kirin 990和Kirin 9905G。关于这种情况，业内人士表示，如果目前仅允许台积电向华为提供上述条件，这对于华为的手机业务将没有多大意义。此前有报道称，在禁令开始之前，华为低调地储备了5G基站核心芯片几个月，并确保其可用性至少持续到2021年。据接近台积电的消息人士透露，台积电已开始扩大其产品的生产。自2019年底以来，华为的5G基站核心通信芯片天岗。在禁令于9月生效之前，台积电根据华为的要求共交付了超过200万个7nm天岗芯片。订单的规模曾经使台积电的高管们质疑它是否低估了全球对5G的需求。据知情人士透露，华为已通知三大运营商，其组件仍可支持2021年及以后的基站建设。至少从去年年底开始，华为一直在交付不使用美国技术的5G基站。英飞凌宣布其在中国的最新投资计划11月6日，英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布，它将增加在中国的投资并扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩建后，它将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。英飞凌将使用更丰富的IGBT产品线，以满足可再生能源，新能源汽车和其他领域快速增长的应用需求。 IHSMarkit的统计数据表明，英飞凌是全球排名第一的IGBT供应商。 IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表产品。该产品具有高频率，高电压，大电流和易于开关等优异性能。它是用于能量转换和传输的核心设备，并且被称为“ CPU”。行业中的电源转换器设备的数量。 IGBT可广泛应用于大电流控制行业，例如轨道交通，航空航天，船舶驱动，智能电网，新能源，交流变频，风力发电，电机驱动和汽车。建成后，新的制造中心将生产适用于电动汽车的HybridPACK™双面冷却模块，Easy1 / 2模块和1B / 2B模块，这些模块可用于许多工业应用，例如工业电机驱动器，光伏和储能，并用于家用电器和电源模块设备，例如工业和其他领域的CIPOS™微型智能电源模块（IPM）。其中，HybridPACK™双面冷却模块是英飞凌的新型IGBT产品，可应用于主逆变器以及混合动力和电动汽车的充电和放电。目前，该模块已成功用于全球许多插电式混合动力和电动汽车中。英飞凌科技公司首席运营官Jochen Hanebeck表示：“中国在英飞凌全球业务中占有重要的战略地位。无锡工厂的升级和扩建不仅将进一步提高我们在中国的生产能力，还将帮助英飞凌巩固其在全球IGBT业务发展中的领先地位。”英飞凌科技大中华区总裁苏华博士说：“我们很高兴能够与无锡市政府在CIIE共同启动英飞凌无锡IGBT生产项目。英飞凌在中国的成功发展得益于此中国持续良好的商业环境。今年也是英飞凌连续第三年