孔板上完成了许多硬件工程师的项目，但是存在不小心连接电源正负极的现象，导致许多电子元件被烧毁，甚至整块板都报废了，另外需要焊接。
，我不知道是否有什么好方法可以解决？首先，粗心是不可避免的。
尽管我们仅区分正极线和负极线，一根红色和一根黑色，但我们可以将其连接一次，而不会犯错；如果将电线连接10次但1000次，我们不会犯错吗？一万左右目前很难说。
由于我们的粗心，一些电子元件和芯片被烧毁了。
主要原因是组件由于过大的电流而损坏。
因此，必须采取措施防止反向连接。
通常，有几种常用的方法：01二极管串联防反向连接保护电路将正向二极管与正电源的输入端子串联，以充分利用二极管的正向导电和反向特性隔断。
通常情况下，二极管导通，电路板工作。
电源反接时，二极管截止，电源无法形成环路，电路板也无法工作，可以有效防止电源反接的问题。
02整流桥式防反接保护电路使用整流桥将电源输入改为无极性输入，无论电源是连接还是反接，电路板均可正常工作。
上面使用二极管进行抗反向处理。
如果硅二极管的电压降约为0.6-0.8V，则锗二极管的电压降也约为0.2-0.4V。
如果电压降太大，则可以使用MOS管进行抗反向处理。
MOS管的压降非常小，高达几毫欧，并且压降几乎可以忽略不计。
03 MOS管防反向保护电路MOS管由于工艺改进，自身性质等因素的影响，其导通内阻技术学校很多都处于毫欧级甚至更小，因此电压电路引起的压降和功耗特别小。
，甚至可以忽略，因此，建议使用MOS管保护电路。
（1）NMOS保护如下图所示：上电时，MOS管的寄生二极管导通，系统形成环路。
源极S的电势约为0.6V，栅极G的电势为Vbat，MOS管的导通电压极高：Ugs = Vbat-Vs，栅极显示为高电平， NMOS的ds导通，寄生二极管短路，系统通过NMOS的ds连接以形成环路。
如果电源反向连接，则NMOS的导通电压为0，NMOS截止，寄生二极管反向，电路断开，从而形成保护。
（2）PMOS保护如下图所示：上电时，MOS管的寄生二极管导通，系统形成环路。
源极S的电势约为Vbat-0.6V，栅极G的电势为0，MOS管的导通电压极高：Ugs = 0-（Vbat-0.6），栅极显示为低电平时，PMOS的ds导通，寄生二极管短路，系统通过PMOS的ds形成环路。
如果电源反向连接，则NMOS的导通电压大于0，PMOS截止，寄生二极管反向，电路断开，从而形成保护。
注意：NMOS管ds连接到负极，PMOS管ds连接到阳极。
寄生二极管的方向朝向正确连接的电流方向。
MOS管D极和S极的连接：使用N沟道MOS管时，电流通常从D极进入并从S极流出，PMOS为S in和D out。
在本电路中使用时恰到好处。
相反，通过寄生二极管的导通，满足了MOS管导通的电压条件。
只要在G极和S极之间建立适当的电压，MOS管就将完全导通。
接通后，就好像D和S之间的开关闭合，电流从D到S或从S到D都是相同的电阻。
在实际应用中，G极通常与一个电阻串联。
为了防止MOS管损坏，还可以添加一个齐纳二极管。
与分压器并联的电容器具有软启动功能。
此刻
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