Vishay推出了集成的40 V MOSFET半桥功率级，RDS（ON）和FOM达到了业界最佳水平，从而提高了功率密度和效率

宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州，2020年10月27日，几天前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布推出新的40 V n沟道MOSFET半桥功率级-SiZ240DT，可用于改善白色家电和工业，医疗和通信应用。功率密度和效率。
Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR＆amp; reg;中集成了高端和低端MOSFET。 3.3 mm x 3.3 mm单片封装导通电阻和导通电阻与栅极电荷的乘积是功率转换应用中MOSFET的重要品质因数（FOM）。
）达到行业的优秀水平。两个TrenchFET＆reg; SiZ240DT中的MOSFET内部以半桥配置连接。
SiZ240DT的通道1 MOSFET通常用作同步降压转换器的控制开关。最大导通电阻在10 V时为8.05mΩ，在4.5 V时为12.25mΩ。
通道2 MOSFET通常用作同步开关，在10 V时导通电阻为8.41mΩ，在4.5 V时导通电阻为13.30mΩ。这些值比下一个竞争对手低16％。
结合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）的低栅极电荷，导通电阻和栅极电荷乘积FOM比排名第二的器件低14％，从而有助于提高快速开关应用的效率。日前发布的双MOSFET比采用6 mm x 5 mm封装的双器件小65％，是目前市场上最小的集成产品之一。
除了用于同步降压，DC / DC转换半桥功率级之外，新器件还为设计人员提供了节省空间的解决方案，适用于真空吸尘器，无人机，电动工具，家庭/办公室自动化和非工厂用于嵌入式医疗设备的电机控制，以及用于电信设备和服务器的无线充电器和开关电源。集成MOSFET使用无线内部结构来最大程度地减少寄生电感，以实现高频开关，从而减小磁性器件的尺寸和最终设计。
其优化的Qgd / Qgs比降低了噪声，并进一步增强了器件的开关特性。 SiZ240DT经过Rg和UIS的100％测试，符合RoHS要求且不含卤素。
新型双MOSFET的样品现已提供，并已实现量产。批量订单的交货时间为12周。

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